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MMBZ4696-G3-18 Especificaciones técnicas
DIODE ZENER 9.1V 350MW SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Zener - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerance | ±5% |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 6.9V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Power - Max | 350mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
MMBZ4696-G3-18 Documentos
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Hojas de datos
MMBZ4696-G3-18.pdf
Otros incluyen "MMBZ4" partes
Las siguientes partes incluyen 'MMBZ4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMBZ4119B-8D | TAITRON | CIs Calientes Especializados | 3296 |
MMBZ4252T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3382 |
MMBZ4617-E3-08 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2536 |
MMBZ4617-E3-08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 0 |
MMBZ4617-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Diodos Zener Individuales | |
MMBZ4617-E3-18 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2587 |
MMBZ4617-E3-18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 2663 |
MMBZ4617-G3-08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 2741 |
MMBZ4617-G3-08 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2730 |
MMBZ4617-G3-18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 2562 |
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