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ESH3BHE3/9AT Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 900mV @ 3A
Supplier Device Package DO-214AB, (SMC)
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
Package / Case DO-214AB, SMC
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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ESH3BHE3/9AT Documentos

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Otros incluyen   "ESH3B"   partes

Las siguientes partes incluyen  'ESH3B' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ESH3B M6G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 0
ESH3B R7G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2697
ESH3B V6G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2611
ESH3B V7G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2647
ESH3B-E3/57T Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 13483
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