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ES1BHE3/5AT Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 1A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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Las siguientes partes incluyen  'ES1BH' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ES1BHE3/5AT Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2513
ES1BHE3/61T Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2647
ES1BHE3/61T Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2615
ES1BHE3_A/H Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2720
ES1BHE3_A/H Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2659
ES1BHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division Rectificador de Diodo Monofásico
ES1BHE3_A/I Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2675
ES1BHE3_A/I Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2779
ES1BHM2G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2585

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