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BYG23T-M3/TR3
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BYG23T-M3/TR3 Especificaciones técnicas
DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 1A |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Package / Case | DO-214AC, SMA |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1300V |
Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1300V (1.3kV) |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Avalanche |
Current - Average Rectified (Io) | 1A (DC) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BYG23" partes
Las siguientes partes incluyen 'BYG23'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BYG23M | VISHAYMAS | CIs Calientes Especializados | 30298 |
BYG23M M2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores - Individual | 2695 |
BYG23M R3G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores - Individual | 2651 |
BYG23M-E3 | V | CIs Calientes Especializados | 1155 |
BYG23M-E3/TR | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 36384 |
BYG23M-E3/TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 54753 |
BYG23M-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico | |
BYG23M-E3/TR3 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 36415 |
BYG23M-E3/TR3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 8000 |
BYG23M-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico |
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