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1N6481HE3/97
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1N6481HE3/97 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Supplier Device Package | DO-213AB |
Series | SUPERECTIFIER® |
Package / Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
1N6481HE3/97 Documentos
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Otros incluyen "1N648" partes
Las siguientes partes incluyen '1N648'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N648-1 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2771 |
1N648-1 | Microsemi Corporation | Rectificador de Diodo Monofásico | |
1N6480-E3/96 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2526 |
1N6480-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico | |
1N6480-E3/97 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2514 |
1N6480-E3/97 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
1N6480HE3/96 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2699 |
1N6480HE3/96 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 2527 |
1N6480HE3/97 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2746 |
1N6480HE3/97 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
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