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1N5239C-TAP Especificaciones técnicas
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Zener - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerance | ±2% |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Operating Temperature | 175°C |
Impedance (Max) (Zzt) | 10 Ohm |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Supplier Device Package | DO-35 |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 7V |
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "1N523" partes
Las siguientes partes incluyen '1N523'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N5230 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 66 |
1N5230 4.7V | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2235 |
1N5230A (DO-35) | Microsemi | Diodos - Zener - Individual | 2679 |
1N5230B | Fairchild/ON Semiconductor | Diodos - Zener - Individual | 2599 |
1N5230B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Zener - Individual | 2780 |
1N5230B | ON Semiconductor | Diodos Zener Individuales | |
1N5230B (DO-35) | Microsemi | Diodos - Zener - Individual | 0 |
1N5230B A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Zener - Individual | 0 |
1N5230B BK | Central Semiconductor | Diodos - Zener - Individual | 2620 |
1N5230B DO-35 | PANJIT | CIs Calientes Especializados | 5500 |
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