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1N4150W-HE3-18
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1N4150W-HE3-18 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Package / Case | SOD-123 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitance @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
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Otros incluyen "1N415" partes
Las siguientes partes incluyen '1N415'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N415 | ASI | CIs Calientes Especializados | 90 |
1N4150 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 36123 |
1N4150 | Fairchild/ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 3089 |
1N4150 TR | Central Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2733 |
1N4150-1 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2828 |
1N4150.TR | FSC | CIs Calientes Especializados | 10500 |
1N4150TAP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2703 |
1N4150TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 2642 |
1N4150TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico | |
1N4150TR | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 10388 |
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