TPH3208LSG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Transphorm
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 14A, 8V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Detailed Description N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±18V
Supplier Device Package 3-PQFN (8x8)
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Package / Case 3-PowerDFN
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPH3202LD Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2597
TPH3202LS Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2688
TPH3202PD Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
TPH3202PS Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2730
TPH3205WS Transphorm CIs Calientes Especializados 28
TPH3205WSB Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2555
TPH3205WSBQA Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2604
TPH3206LD Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2521
TPH3206LDB Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2730
TPH3206LDGB Transphorm Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2511

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