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RN4982FE,LF(CB Especificaciones técnicas
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | Toshiba |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Published | 2014 |
Power Dissipation-Max | 100mW |
Max Collector Current | 100mA |
Max Breakdown Voltage | 50V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
RN4982FE,LF(CB Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RN4982FE,LF(CB
-
Hojas de datos
Otros incluyen "RN498" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN498'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN4981 | TOS | CIs Calientes Especializados | 24430 |
RN4981,LF | TOS | CIs Calientes Especializados | 3000 |
RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2623 |
RN4981FE | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 1765 |
RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2724 |
RN4981FE,LF(CB | Toshiba | Matrices de transistores BJT | |
RN4981FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Matrices de transistores BJT | |
RN4981LF | TOS | CIs Calientes Especializados | 3336 |
RN4982 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 382799 |
RN4982 TE85R | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3385 |
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