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RN2905T5LFT Especificaciones técnicas

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Toshiba
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case SOT-363
Published 2014
Power Dissipation-Max 200mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 80
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT)
Polarity PNP
Element Configuration Dual
Max Collector Current 100mA
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Continuous Collector Current -100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2901 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3331
RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2583
RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN2901FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 16000
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2634
RN2902 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 105117
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2549
RN2902(T5RSNDFT Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 4762
RN2902(TE85R.F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 200
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2522

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