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RN2110,LF(CB Especificaciones técnicas
RN2110,LF(CB datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from Toshiba stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | Toshiba |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Published | 2014 |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Frequency - Transition | 200MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Power Dissipation-Max | 100mW |
Max Collector Current | 100mA |
Max Breakdown Voltage | 50V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
RN2110,LF(CB Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RN2110,LF(CB
-
Hojas de datos
Otros incluyen "RN211" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN211'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN2110 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3320 |
RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2521 |
RN2110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores BJT Pre-Biasados | |
RN2110ACT | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 10376 |
RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2747 |
RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2709 |
RN2110F | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3700 |
RN2110FT | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 8410 |
RN2110FV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 8000 |
RN2110MFV | TOS | CIs Calientes Especializados | 8472 |
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