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MG250YD2YMS3 Especificaciones técnicas

High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Módulos de Diodo SiC
Manufacturer Toshiba
Factory Lead Time 3 Weeks
Feature All SiC MOSFET type
Circuit Configuration 2in1
Mounting Surface Mount
Drain-Source voltage 2200V
Drain-source on-voltage(Sense terminal) (Typ.) 0.7 V
Turn-on switching loss (Typ.) 14 mJ
Reverse recovery loss (Typ.) 1.5 mJ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Application High power switching (Power conversion, Motor drive)
Toshiba Package Name 2-153A1A
Drain current (DC) 250A
Channel temperature 150℃
Source-drain off-voltage(Sense terminal) (Typ.) 1.6 V
Turn-off switching loss (Typ.) 11 mJ
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MG250Q6ES43 IGBT Module Módulos IGBT 2786
MG250V2YMS3 Toshiba Módulo de Potencia SiC

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