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TTA0002(Q) Especificaciones técnicas

TRANS PNP 160V 18A TO-3PL

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type PNP
Power - Max 180W
Package / Case TO-3PL
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 18A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 900mA, 9A
Supplier Device Package TO-3P(L)
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 30MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TTA0001(STA1,X,S) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2
TTA003 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2113
TTA003 ,L1NQ Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2375
TTA003,L1DNSONX TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2923
TTA003,L1NQ TOS CIs Calientes Especializados 2555
TTA003,L1NQ(O Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2614
TTA003L1TYGNX Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1612
TTA004B Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1500
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2541
TTA005,L1DNSONQ Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 4000

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