TRS6E65C,S1AQ Especificaciones técnicas

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) Silicon Carbide Schottky
Voltage - Breakdown TO-220-2L
Reverse Recovery Time (trr) No Recovery Time > 500mA (Io)
Polarization TO-220-2
Operating Temperature - Junction 0ns
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Manufacturer Part Number TRS6E65C,S1AQ
Diode Configuration 90µA @ 650V
Current - Reverse Leakage @ Vr 1.7V @ 6A
Capacitance @ Vr, F 175°C (Max)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 6A (DC)
RoHS Status Tube
Resistance @ If, F 35pF @ 650V, 1MHz
Other Names TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Expanded Description Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L
Description DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 650V
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