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TPW4R50ANH,L1Q
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TPW4R50ANH,L1Q Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSVIII-H |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-DSOP Advance |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 46A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 92A (Tc) |
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Otros incluyen "TPW4R" partes
Las siguientes partes incluyen 'TPW4R'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TPW4R008NH | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 535 |
TPW4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2722 |
TPW4R50ANH | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2782 |
TPW4R50ANH ,L1Q MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 6320 |
TPW4R50ANH IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2702 |
TPW4R50ANH_L1Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2272 |
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