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TPN1R603PL,L1Q
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TPN1R603PL,L1Q Especificaciones técnicas
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 10V @ 10µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSIX-H |
Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'TPN1R'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TPN1R603PL | QQ2850920 | CIs Calientes Especializados | 15085 |
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