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TPH1110ENH,L1Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 114 mOhm @ 3.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Ta)
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Otros incluyen   "TPH11"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPH11003NL TOSHIBA CIs Calientes Especializados 50223
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2714
TPH11006NL Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 9337
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2543
TPH1100CQ5 Toshiba PMIC - Reguladores de Voltaje - Controladores de Conmutación DC DC
TPH1110ENH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 9352
TPH1110FNH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 9275
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
TPH1110FNH,L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 20

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