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TPCC8003-H(TE12LQM
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TPCC8003-H(TE12LQM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Supplier Device Package | 8-TSON |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSVI-H |
Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'TPCC8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TPCC8001-H | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 78370 |
TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2605 |
TPCC8002-H | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 10233 |
TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2631 |
TPCC8003-H | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 154260 |
TPCC8005-H | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 27433 |
TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2661 |
TPCC8006-H | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 22057 |
TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12217 |
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