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TPC8A06-H(TE12LQM)
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TPC8A06-H(TE12LQM) Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Supplier Device Package | 8-SOP (5.5x6.0) |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Body) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Otros incluyen "TPC8A" partes
Las siguientes partes incluyen 'TPC8A'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TPC8A01 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 4018 |
TPC8A01(TE12L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2900 |
TPC8A01(TE12L,Q) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2900 |
TPC8A01-H | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2265 |
TPC8A01. | TOS | CIs Calientes Especializados | 32900 |
TPC8A01. MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 38774 |
TPC8A02 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 674 |
TPC8A02-H | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 27994 |
TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2637 |
TPC8A03 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 14967 |
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