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TPC8125,LQ(S Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 500µA
Supplier Device Package 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2580pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVI
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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Otros incluyen   "TPC81"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPC8102 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 19977
TPC8102 TE12L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 579
TPC8102(T2LASAW) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3000
TPC8102(TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 6054
TPC8102-H TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3360
TPC8102. TOS CIs Calientes Especializados 2883
TPC8103 T CIs Calientes Especializados 19660
TPC8103(TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1142
TPC8103-H TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3497
TPC8103-TE12L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 843

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