TPC8067-H,LQ(S Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVII-H
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
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Otros incluyen   "TPC80"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TPC80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPC8001 TPC CIs Calientes Especializados 21072
TPC8001(TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1600
TPC8001-TE12L TOS CIs Calientes Especializados 1660
TPC8002 NXP CIs Calientes Especializados 1136
TPC8002 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16075
TPC8002-H TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3525
TPC8002/TE12L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1113
TPC8002F (TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 9000
TPC8003 TOSHI CIs Calientes Especializados 23415
TPC8003(TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2558

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