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TPC8033-H(TE12LQM) Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0)
Power Dissipation (Max) -
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3713pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para TPC8033-H(TE12LQM)

Otros incluyen   "TPC80"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TPC80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPC8001 TPC CIs Calientes Especializados 21072
TPC8001(TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1600
TPC8001-TE12L TOS CIs Calientes Especializados 1660
TPC8002 NXP CIs Calientes Especializados 1136
TPC8002 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16075
TPC8002-H TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3525
TPC8002/TE12L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1113
TPC8002F (TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 9000
TPC8003 TOSHI CIs Calientes Especializados 23415
TPC8003(TE12L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2558

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