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TPC6109-H(TE85L,FM Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package VS-6 (2.9x2.8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIII-H
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para TPC6109-H(TE85L,FM

Otros incluyen   "TPC61"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TPC61' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPC6101 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 82386
TPC6101 TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1279
TPC6101 TE85L,F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3000
TPC6101 TE85LF TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3272
TPC6101(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3240
TPC6101(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3000
TPC6101(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3700
TPC6101(TE85LF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3000
TPC6101(TE85LFM) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4200
TPC6102 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 53718

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