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TK8Q65W,S1Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 3.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK8Q60V TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 2521
TK8Q60V MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 903
TK8Q60W TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 45286
TK8Q60W MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 45193
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2739
TK8Q60W,S1VQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 280
TK8Q60W5 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 809
TK8Q60W5 TK8Q60W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1147
TK8Q65W,S1Q(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 295

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