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TK8A60W,S4VX Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
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Otros incluyen   "TK8A6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK8A6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK8A60D TOS CIs Calientes Especializados 6400
TK8A60DA TOSHIBA CIs Calientes Especializados 33278
TK8A60DA K8A60DA Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 781
TK8A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2757
TK8A60DA(STA4.Q.M) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 58
TK8A60DA(STA4Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 60
TK8A60DA(STA4QM) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2366
TK8A60EA TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 6400
TK8A60V TOS CIs Calientes Especializados 454
TK8A60V MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 497

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