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TK7A65D(STA4,Q,M) Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 980 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVII
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
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Otros incluyen   "TK7A6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK7A6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK7A60V TOS CIs Calientes Especializados 602
TK7A60V MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 469
TK7A60V(S4V TOSHIBA CIs Calientes Especializados 516
TK7A60V(S4V,X) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 180
TK7A60W TOS CIs Calientes Especializados 428
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2600
TK7A60W,S4VX(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 60
TK7A60W5 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1945
TK7A60W5 TK7A60W TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 4702
TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2506

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