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TK6P60W,RVQ Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 820 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
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TK6P60W,RVQ Documentos

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Otros incluyen   "TK6P6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK6P6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK6P60PW Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 863
TK6P60PW,RVQ(S TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2612
TK6P60V TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2163
TK6P60V ,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1046
TK6P60V ,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1480
TK6P60V MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2383
TK6P60V,RVQ TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2615
TK6P60V,RVQ(S TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2669
TK6P60VRVQ TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2720
TK6P60W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2045

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