TK5Q60W,S1VQ Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Ta)
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Las siguientes partes incluyen  'TK5Q6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK5Q60V TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 15301
TK5Q60V MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 678772
TK5Q60W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1173
TK5Q60W IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 677
TK5Q65W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1814
TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
TK5Q65W,S1Q(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 450

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