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TK5A60D(STA4,Q,M) Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.43 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVII
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
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Otros incluyen   "TK5A6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK5A6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK5A60D TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 1398
TK5A60D K5A60D Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1048
TK5A60DTA4 VB CIs Calientes Especializados 5000
TK5A60V TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 2501
TK5A60V(S4V,X Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 30
TK5A60W T CIs Calientes Especializados 10279
TK5A60W ,S4VX(M MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 146306
TK5A60W K5A60W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 583
TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2579
TK5A60W,S4VX(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 120

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