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TK56A12N1,S4X
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TK56A12N1,S4X Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSVIII-H |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220SIS |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 28A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 60V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para TK56A12N1,S4X
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Otros incluyen "TK56A" partes
Las siguientes partes incluyen 'TK56A'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TK56A12N1 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 692 |
TK56A12N1,S4X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 550 |
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