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TK50E10K3(S1SS-Q) Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) -
Package / Case -
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
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Las siguientes partes incluyen  'TK50E' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK50E06K3 TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 7341
TK50E06K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2792
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2567

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