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TK4R4P06PL,RQ
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TK4R4P06PL,RQ Especificaciones técnicas
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSIX-H |
Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | 175°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 30V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 60V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 29A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | TK4R4P06PLRQDKR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TK4R4P06PL | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 127864 |
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