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TK4P60DB(T6RSS-Q)
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TK4P60DB(T6RSS-Q) Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | π-MOSVII |
Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "TK4P6" partes
Las siguientes partes incluyen 'TK4P6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TK4P60D | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 22285 |
TK4P60D RQ | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2469 |
TK4P60D,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3200 |
TK4P60D,RQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 30 |
TK4P60D.RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 438 |
TK4P60D.RQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 50484 |
TK4P60DA | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 5453 |
TK4P60DA TK4P60D | TOSHIBA/ | CIs Calientes Especializados | 50315 |
TK4P60DA(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2539 |
TK4P60DB | TOS | CIs Calientes Especializados | 191385 |
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