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TK39J60W5,S1VQ
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TK39J60W5,S1VQ Especificaciones técnicas
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV |
Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3P(N) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38.8A (Ta) |
TK39J60W5,S1VQ Documentos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TK39J60W | TOS | CIs Calientes Especializados | 2585 |
TK39J60W IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 6663 |
TK39J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2608 |
TK39J60W5 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 750 |
TK39J60W5 IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 529 |
TK39J60W5,S1EMRQ | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1085 |
TK39J60W5,S1VQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 236 |
TK39J60W5S1EMRQ | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1447 |
TK39J60W5S1VQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 379 |
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