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TK31V60X,LQ Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV-H
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Package / Case 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 9.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
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Otros incluyen   "TK31V"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK31V' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK31V60W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 413
TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 64419
TK31V60W,LVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 100
TK31V60W5 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 358
TK31V60W5 ,LHQ Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 605
TK31V60W5,LHQ TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2790
TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
TK31V60X,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2500
TK31V60XLQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 20353

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