TK31N60W5,S1VF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 15.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK31N60W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 5299
TK31N60W IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 476
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2553
TK31N60W,S1VF(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 28
TK31N60W5 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 650
TK31N60W5.S1VF(S) TOS CIs Calientes Especializados 170
TK31N60X Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3884
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2610
TK31N60X,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 40

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