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TK31E60X,S1X
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TK31E60X,S1X Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV-H |
Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 9.4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
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Otros incluyen "TK31E" partes
Las siguientes partes incluyen 'TK31E'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TK31E60W | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 402 |
TK31E60W IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 443 |
TK31E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2744 |
TK31E60X | TOS | CIs Calientes Especializados | 6017 |
TK31E60X,S1X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 155 |
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