TK25A60X5,S5X Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV-H
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK25A10K TOSHIBA CIs Calientes Especializados 616
TK25A10K3 TOS CIs Calientes Especializados 5455
TK25A10K3(Q) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 325
TK25A10K3(STA4.Q.M) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1947
TK25A20D TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 5401
TK25A20D ,S5X Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 584
TK25A20D ,S5X IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 276
TK25A20D MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 48249
TK25A60X Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 698
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