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TK17N65W,S1F Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 900µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 8.7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.3A (Ta)
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Otros incluyen   "TK17N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK17N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK17N65W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 22271
TK17N65W,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 290
TK17N65WS1F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2506

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