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TK16V60W,LVQ Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 139W (Tc)
Package / Case 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.8A (Ta)
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Otros incluyen   "TK16V"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK16V' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK16V60W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 329
TK16V60W ,LVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3107
TK16V60W IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 506
TK16V60W MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 12957
TK16V60W,LVQ(S TOS CIs Calientes Especializados 82500
TK16V60WLVQ(S TOSHIBA CIs Calientes Especializados 20306

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