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TK16J60W,S1VQ Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package TO-3P(N)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.8A (Ta)
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Otros incluyen   "TK16J"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK16J' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK16J55D(F) TOS CIs Calientes Especializados 50
TK16J60W Original CIs Calientes Especializados 4299
TK16J60W,S1VQ(Q Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50
TK16J60W.S1VE Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 377
TK16J60W5 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 433
TK16J60W5,S1VQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 500

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