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TK14N65W5,S1F Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.7A (Ta)
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Otros incluyen   "TK14N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK14N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK14N65W TOS CIs Calientes Especializados 8801
TK14N65W ,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 667
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2604
TK14N65W.S1F Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 713
TK14N65W5 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 732

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