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TK14C65W5,S1Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.7A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK14C65W IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 399
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2632
TK14C65W.S1Q Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 498
TK14C65W5S1Q Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 535
TK14C88-3NF45I SIMTEK CIs Calientes Especializados 8214

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