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TK12E60W,S1VX Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 5.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Ta)
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Otros incluyen   "TK12E"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK12E' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK12E60U Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 7213
TK12E60W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 37598
TK12E60W K12E60W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 491
TK12E60W,S1VX(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 30
TK12E60WS1VX Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 27289
TK12E80W TOS CIs Calientes Especializados 11379
TK12E80W ,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 49460
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2769
TK12E80WS1X(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 88360

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