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TK12A60W,S4VX Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 5.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Ta)
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Otros incluyen   "TK12A"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK12A' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK12A10K Original CIs Calientes Especializados 1259
TK12A10K3 T CIs Calientes Especializados 15269
TK12A10K3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 3258
TK12A45D TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 2764
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2727
TK12A50D TOSHIBA CIs Calientes Especializados 125349
TK12A50D IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 489
TK12A50D K12A50D Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 704
TK12A50D(S4SO6 TOS CIs Calientes Especializados 2703
TK12A50D(S4SO6 ,Q ,M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1529

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