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TK10Q60W,S1VQ
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TK10Q60W,S1VQ Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.9A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV |
Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
TK10Q60W,S1VQ Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para TK10Q60W,S1VQ
-
Hojas de datos
TK10Q60W,S1VQ.pdf
Otros incluyen "TK10Q" partes
Las siguientes partes incluyen 'TK10Q'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TK10Q60W | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 594 |
TK10Q60W,S1VQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 300 |
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Puentes Terminales
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