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TK10J80E,S1E
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TK10J80E,S1E Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-3P(N) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | π-MOSVIII |
Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
TK10J80E,S1E Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para TK10J80E,S1E
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Hojas de datos
TK10J80E,S1E.pdf
Otros incluyen "TK10J" partes
Las siguientes partes incluyen 'TK10J'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TK10J80E | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 6518 |
TK10J80E ,S1E IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 482 |
TK10J80E,S1E(S | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 130 |
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