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TK10E60W,S1VX Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
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Otros incluyen   "TK10E"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK10E' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK10E60W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 655
TK10E60W ,S1VX(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 365
TK10E60W MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 60691
TK10E60WS1VX TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2567
TK10E60WS1VX(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 381
TK10E80W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3272

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