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TK10A60E,S4X Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V TO220SIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220SIS
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "TK10A"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK10A' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK10A50D TOS CIs Calientes Especializados 2295
TK10A50D K10A50D Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 888
TK10A50D(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 300
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2718
TK10A50W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 490
TK10A50W,S5X(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 450
TK10A55D Toshiba CIs Calientes Especializados 23185
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775
TK10A60D TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2256
TK10A60D IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 725

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