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TK100E10N1,S1X Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
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Otros incluyen   "TK100"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK100' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK1005800000G Anytek (Amphenol Anytek) Bloques Terminales - Cable a Placa 2780
TK10058000J0G Amphenol FCI Bloques Terminales - Cable a Placa 2643
TK100A06N1 TOSHIBA/ CIs Calientes Especializados 32847
TK100A06N1 K100A06N1 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 739
TK100A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2561
TK100A06N1,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50
TK100A08N1 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 885
TK100A08N1 IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 251
TK100A08N1(K100A08N1) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 100
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